量測方法:ASTM D150
介電常數εr (dielectric constant）(permittivity,Dk)又稱之介質常數或是電容率，是一種表示絕緣能力特性的一個係數，介電常數並非是永恆不變的值，會因頻率、方向、溫度或壓力甚至是材料分子的結構而改變，量測頻率100Hz~1GHz。Df損耗因數又稱阻尼因數或內耗（internal dissipation）或損耗角正切（loss tangent）。影響Dk介電常數的因數1、極性:非極性材料，如PE、PP、PS等Dk數值小，約為2~3；低極性的介電常數約為3~5； 極性材料的Dk為4~10，强極性則更大。 分子鏈對稱性越高的資料，則介電常數越小。如塑膠中的F4的介電常數最小，僅2.1； PA6的較高，為4.7。2、電場頻率:低頻率電場的頻率變化對Dk影響不大，高頻率電場則影響較大，因為極化反應需要一定的時間，所以在高頻場合頻率增大時，極性材料極化速度來不及反應使介電常數下降，頻率下降使得介電常數變大。對於非極化材料，因分子鏈對稱性好，所以介電常數對頻率變化不敏感。3、環境溫度:溫度升高時，非極性材料介電常數變化不大，而極性材料介電常數增大，但溫度昇到某值時，會隨溫度升高而下降； 囙此極性對溫度變化敏感。 這種現象非極性也有，但變化很小。 這兩種資料在Tg或Tm點上都會發生介電常數增大現象。4、相對濕度:濕度增大時，Dk介電常數變大，對極性資料影響更大。 因為水是極性介質，它擴散到分子內會增大極性，吸濕後塑膠表面的水膜會新增表面電導，促進資料極化反應。 頻率低時，吸水性影響更大。 隨著頻率的增大，其影響變小。
高頻使用向量網路分析儀(VNA)為40 Gbps的被動和主動電子元件，例如偏壓T型接頭、電子放大器、平衡/不平衡變壓器、衰減器和濾波器，提供重要的量測，如注入損耗、波群延遲、回返損耗和阻抗等。它提供了完整分析RF與微波元件特性的能力，包含整合的合成信號源、測試組件和調諧接收器。內建的S參數測試組件提供了完整的大小與相位量測，包括前向與反向。內建的向量準確度增強技術包括完整2埠、轉接器移除與TRL校驗選項。向量式網路分析儀提供介電常數(Dk)、介電損耗(Df)、品質因子檢測(Q值)、共振頻率溫度係數檢測(τf)、散逸因子檢測(tanδ)。
儀器
奈米中心-熱傳導分析儀
奈米中心-熱膨脹分析儀
奈米中心-熱重顯示差同步分析儀
奈米中心-有/無機材料薄膜能隙量測儀
奈米中心-橢圓儀 　
奈米中心-原位拉曼光譜儀 　
奈米中心-傅立葉轉換紅外線光譜儀
奈米中心-紫外光可見近紅外光光譜儀
奈米中心-螢光分光光譜儀
奈米中心-原子力顯微鏡 AFM 　
奈米中心-穿透式電子顯微鏡 TEM 　
奈米中心-掃瞄式電子顯微鏡SEM 　
奈米中心-X射線繞射儀 XRD 　
奈米中心-化學吸/脫附混合氣體質量控制器
奈米中心-奈米粉體熔融混練機
奈米中心-可攜式即時連續氣體分析質譜儀
奈米中心-高濃度超微粒徑分部儀 　
奈米中心-雷射粒徑分析儀
奈米中心-全自動界面電位分析儀
奈米中心-射頻磁控濺鍍機
奈米中心-振動樣品磁力計VSM
奈米中心-鐵電薄膜分析儀
奈米中心-S-parameter network analyzer
奈米中心-Switch/control system
奈米中心-半導體參數分析儀 I-V Curve
奈米中心-Agilent 4284A 精密型 LCR 錶
奈米中心-兩點探針系統 　
奈米中心-射頻阻抗分析儀
奈米中心-阻抗分析儀 C-V Curve
奈米中心-High resistant meter
奈米中心-高電阻測定儀 Milliohmmeter
奈米中心-高溫玻璃熔煉爐
奈米中心-低溫玻璃熔煉爐
奈米中心-氣氛燒結爐(BME)-1400度
奈米中心-1700度燒結爐
奈米中心-1400度燒結爐
奈米中心-快速退火爐 　
奈米中心-薄帶機
奈米中心-網版印刷機 　
奈米中心-噴霧造粒機
奈米中心-熱水均壓機 　
奈米中心-鑽石切割機 　
奈米中心-硬磁缽組
奈米中心-磨粉特殊耐腐蝕Cyclone上蓋
奈米中心-電動磨粉機
奈米中心-玻璃研磨機 　
奈米中心-旋鍍機